仪器名称U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 信号检测U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 元素测定U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 检测限U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 深度分辨率U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 适用范围U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
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扫描电子显微镜（SEM）U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 二次及背向散射电子&X射线U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| B-U (EDS mode)U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 0.1 - 1 at%U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 0.5 - 3 µm (EDS)U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 高辨析率成像U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
元素微观分析及颗粒特征化描述U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
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X射线能谱仪（EDS）U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 二次背向散射电子&X射线U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| B-UU+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 0.1 – 1 at%U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 0.5 – 3 μmU+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 小面积上的成像与元素组成；缺陷处元素的识别/绘图；颗粒分析（>300nm）U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
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显微红外显微镜（FTIR）U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 红外线吸收U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 分子群U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 0.1 - 1 wt%U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 0.1 - 2.5 µmU+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 污染物分析中识别有机化合物的分子结构U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
识别有机颗粒、粉末、薄膜及液体（材料识别）U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
量化硅中氧和氢以及氮化硅晶圆中的氢 （Si-H vs. N-H）U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
污染物分析（析取、除过气的产品，残余物）U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
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拉曼光谱（Raman）U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 拉曼散射U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 化学及分子键联资料U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| >=1 wt%U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 共焦模式U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
1到5 µmU+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 为污染物分析、材料分类以及张力力测量而识别有机和无机化合物的分子结构U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
拉曼，碳层特征 （石墨、金刚石 ）U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
非共价键联压焊(复合体、金属键联)U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
定位(随机v. 有组织的结构)U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
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俄歇电子能谱仪（AES）U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 来自表面附近的Auger电子U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| Li-UU+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 0.1-1%亚单层U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 20 – 200 Ǻ侧面分布模式U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 缺陷分析；颗粒分析；表面分析；小面积深度剖面；薄膜成分分析U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
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X射线光电子能谱仪（XPS）U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 来自表面原子附近的光电子U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| Li-U化学键联信息U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 0.01 - 1 at% sub-monolayerU+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 20 - 200 Å（剖析模式）U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
10 - 100 Å (表面分析）U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 有机材料、无机材料、污点、残留物的表面分析U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
测量表面成分及化学状态信息U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
薄膜成份的深度剖面U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
硅 氧氮化物厚度和测量剂量U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
薄膜氧化物厚度测量（SiO2, Al2O3 等.）U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
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飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS）U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 分子和元素种类U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 整个周期表，加分子种类U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 107 - 1010at/cm2 sub-monolayerU+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 1 - 3 monolayers (Static mode)U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 有机材料和无机材料的表面微量分析U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
来自表面的大量光谱U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
表面离子成像U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
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塑料断口红色颗粒物分析U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 塑料表面白色粉末成分分析U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
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连接端子pin针表面异物分析U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
| 金手指端部表面异物分析U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
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镀金管脚表面异物分析U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
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PCB表面异物成分分析U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª U+W?®=7| bbs.3c3t.comU×CÂgÒ¹ª
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