仪器名称qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 信号检测qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 元素测定qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 检测限qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 深度分辨率qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 适用范围qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
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扫描电子显微镜(SEM)qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 二次及背向散射电子&X射线qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| B-U (EDS mode)qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 0.1 - 1 at%qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 0.5 - 3 µm (EDS)qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 高辨析率成像qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: 元素微观分析及颗粒特征化描述qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
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X射线能谱仪(EDS)qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 二次背向散射电子&X射线qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| B-UqK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 0.1 – 1 at%qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 0.5 – 3 μmqK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 小面积上的成像与元素组成;缺陷处元素的识别/绘图;颗粒分析(>300nm)qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
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显微红外显微镜(FTIR)qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 红外线吸收qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 分子群qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 0.1 - 1 wt%qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 0.1 - 2.5 µmqK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 污染物分析中识别有机化合物的分子结构qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: 识别有机颗粒、粉末、薄膜及液体(材料识别)qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: 量化硅中氧和氢以及氮化硅晶圆中的氢 (Si-H vs. N-H)qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: 污染物分析(析取、除过气的产品,残余物)qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
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拉曼光谱(Raman)qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 拉曼散射qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 化学及分子键联资料qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| >=1 wt%qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 共焦模式qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: 1到5 µmqK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 为污染物分析、材料分类以及张力力测量而识别有机和无机化合物的分子结构qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: 拉曼,碳层特征 (石墨、金刚石 )qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: 非共价键联压焊(复合体、金属键联)qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: 定位(随机v. 有组织的结构)qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
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俄歇电子能谱仪(AES)qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 来自表面附近的Auger电子qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| Li-UqK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 0.1-1%亚单层qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 20 – 200 Ǻ侧面分布模式qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 缺陷分析;颗粒分析;表面分析;小面积深度剖面;薄膜成分分析qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
|
X射线光电子能谱仪(XPS)qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 来自表面原子附近的光电子qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| Li-U化学键联信息qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 0.01 - 1 at% sub-monolayerqK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 20 - 200 Å(剖析模式)qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: 10 - 100 Å (表面分析)qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 有机材料、无机材料、污点、残留物的表面分析qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: 测量表面成分及化学状态信息qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: 薄膜成份的深度剖面qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: 硅 氧氮化物厚度和测量剂量qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: 薄膜氧化物厚度测量(SiO2, Al2O3 等.)qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
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飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 分子和元素种类qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 整个周期表,加分子种类qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 107 - 1010at/cm2 sub-monolayerqK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 1 - 3 monolayers (Static mode)qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 有机材料和无机材料的表面微量分析qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: 来自表面的大量光谱qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: 表面离子成像qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
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| qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
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塑料断口红色颗粒物分析qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 塑料表面白色粉末成分分析qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
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| qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
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连接端子pin针表面异物分析qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
| 金手指端部表面异物分析qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
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| qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
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镀金管脚表面异物分析qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
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| qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
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PCB表面异物成分分析qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A:: qK*Kû{í£zbbs.3c3t.comùI¶[¶A::
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