仪器名称õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 信号检测õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 元素测定õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 检测限õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 深度分辨率õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 适用范围õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
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扫描电子显微镜(SEM)õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 二次及背向散射电子&X射线õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| B-U (EDS mode)õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 0.1 - 1 at%õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 0.5 - 3 µm (EDS)õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 高辨析率成像õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC 元素微观分析及颗粒特征化描述õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
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X射线能谱仪(EDS)õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 二次背向散射电子&X射线õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| B-Uõ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 0.1 – 1 at%õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 0.5 – 3 μmõ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 小面积上的成像与元素组成;缺陷处元素的识别/绘图;颗粒分析(>300nm)õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
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显微红外显微镜(FTIR)õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 红外线吸收õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 分子群õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 0.1 - 1 wt%õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 0.1 - 2.5 µmõ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 污染物分析中识别有机化合物的分子结构õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC 识别有机颗粒、粉末、薄膜及液体(材料识别)õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC 量化硅中氧和氢以及氮化硅晶圆中的氢 (Si-H vs. N-H)õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC 污染物分析(析取、除过气的产品,残余物)õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
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拉曼光谱(Raman)õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 拉曼散射õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 化学及分子键联资料õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| >=1 wt%õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 共焦模式õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC 1到5 µmõ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 为污染物分析、材料分类以及张力力测量而识别有机和无机化合物的分子结构õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC 拉曼,碳层特征 (石墨、金刚石 )õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC 非共价键联压焊(复合体、金属键联)õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC 定位(随机v. 有组织的结构)õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
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俄歇电子能谱仪(AES)õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 来自表面附近的Auger电子õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| Li-Uõ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 0.1-1%亚单层õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 20 – 200 Ǻ侧面分布模式õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 缺陷分析;颗粒分析;表面分析;小面积深度剖面;薄膜成分分析õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
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X射线光电子能谱仪(XPS)õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 来自表面原子附近的光电子õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| Li-U化学键联信息õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 0.01 - 1 at% sub-monolayerõ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 20 - 200 Å(剖析模式)õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC 10 - 100 Å (表面分析)õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 有机材料、无机材料、污点、残留物的表面分析õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC 测量表面成分及化学状态信息õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC 薄膜成份的深度剖面õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC 硅 氧氮化物厚度和测量剂量õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC 薄膜氧化物厚度测量(SiO2, Al2O3 等.)õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
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飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 分子和元素种类õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 整个周期表,加分子种类õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 107 - 1010at/cm2 sub-monolayerõ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 1 - 3 monolayers (Static mode)õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 有机材料和无机材料的表面微量分析õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC 来自表面的大量光谱õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC 表面离子成像õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
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| õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
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塑料断口红色颗粒物分析õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 塑料表面白色粉末成分分析õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
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õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
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连接端子pin针表面异物分析õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
| 金手指端部表面异物分析õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
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镀金管脚表面异物分析õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
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PCB表面异物成分分析õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC õ¶G¶03`bbs.3c3t.comÚ±_k¹êQ$XC
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